پایان نامه تاثیرمیدان مغناطیسی،دما،وپهنایمحدودپتانسیل برخواص گازالکترونی دوبعدی

دانشگاه یاسوج

دانشکده علوم پایه

گروه فیزیک

 

پایان­نامه کارشناسی­ارشد رشته فیزیک حالت جامد

 

عنوان پایان­نامه:

تاثیرمیدان مغناطیسی،دما،وپهنایمحدودپتانسیل برخواص گازالکترونی دوبعدی

 

استاد راهنما

دکتر ابراهیم صادقی

 

استاد مشاور

دکتر رضا خرداد

مهر ماه 1393

 

نام نگارنده و استاد راهنما داخل فایل اصلی موجود است

(در فایل دانلودی نام نویسنده موجود است)

تکه هایی از متن پایان نامه به عنوان نمونه :

(ممکن است هنگام انتقال از فایل اصلی به داخل سایت بعضی متون به هم بریزد یا بعضی نمادها و اشکال درج نشود ولی در فایل دانلودی همه چیز مرتب و کامل است)

چکیده

در این پایان نامه، نخست به معرفی گاز الکترونی و حفره­ای دو بعدی پرداخته و سپس تاثیر دما، میدان مغناطیسی خمیده و ضخامت پهنای سیستم دو بعدی بر گاز الکترونی را بررسی کرده­ایم. پتانسیل شیمیایی و مغناطش گاز الکترونی دو بعدی در حضور میدان مغناطیسی دو مولفه­ای، دماهای غیر صفر و ضخامت­های مختلف محاسبه و با سایر پژوهش­ها مقایسه شده­اند. نتایج نشان می­دهند که پتانسیل شیمیایی با افزایش ضخامت لایه کاهش می­یابد. نتایج همچنین بیانگر این واقعیت هستند که با اعمال میدان مغناطیسی در راستای موازی با سطح لایه الکترون آزاد، پتانسیل شیمیایی دارای تغییرات ناچیزی می­گردد.

 

کلمات کلیدی: پتانسیل شیمیایی، میدان مغناطیسی، مغناطش، پذیرفتاری مغناطیسی

فهرست

 

عنوان                                                                                                                                                                 صفحه

فصل اول: پیش گفتار

1-1مقدمه………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………1

1-2گاز الکترونی دو بعدی……………………………………………………………………………………………………………………………………………………..1

1-3گازحفره ای دوبعدی………………………………………………………………………………………………………………………………………………………..2

1-4مروری بر کارهای انجام شده…………………………………………………………………………………………………………………………………………..4

1-5مرور اجمالی بر فصل های آینده ……………………………………………………………………………………………………………………………………4

فصل دوم: ویژگی­های گاز الکترونی دو بعدی

2-1مقدمه ……………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………..5

2-2ساختار ند لایه­ای آلاییده مدوله شده……………………………………………………………………………………………………………………………..5

2-3ساختارهای چند لایه­ایی سیلیکان – ژرمانیم………………………………………………………………………………………………………………….6

2-4چگالی حالات………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………..10

2-5 طبش پذیری و حایل سازی………………………………………………………………………………………………………………………………………..10

2-6ترازهای مقید………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………..13

2-7ساختار درون نواری………………………………………………………………………………………………………………………………………………………14

2-8جواب­هایتقریبی برای تابع موج و انرژی : ……………………………………………………………………………………………………………………16

2-9اثرات بس ذره­ای……………………………………………………………………………………………………………………………………………………………18

2-10گذار­های نوری درون نواری………………………………………………………………………………………………………………………………………..19

2-11مغناطش در مواد………………………………………………………………………………………………………………………………………………………..20

فصل سوم بررسی نظری گاز الکترونی دو بعدی

3-1مقدمه …………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………..23

3-2هامیلتونی تک ذرات ……………………………………………………………………………………………………………………………………………………24

3-3پتانسیل شیمیایی ………………………………………………………………………………………………………………………………………………………..25

3-4خواص ترمو دینامیکی …………………………………………………………………………………………………………………………………………………27

فصل چهارم محاسبه خواص ترمودینامیکی گاز الکترونی دو بعدی.

4-1 مقدمه…………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………..28

فصل­پنجم: نتایج………………………………………………………………………………………………………………………………..39

منابع…………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………….40

 

 

 

 

 

 

فهرست شکل­ها

 

 

شکل1-1:نمایشی­ازگازالکترونی­دوبعدی­دراین­حالت­الکترون¬هامقیدبه­حرکت­ در یک صفحه­اند………………………………………….2

شکل1-2:گازحفره­ای­دوبعدی­درفصل­مشترک­لایه¬یسیلسکان­ولایه¬ی­سیلیکان­ژرمانیم­تشکیل­می-شود……………………………2

شکل1-3:ترانزیستوراثرمیدانی آلاییدهمدوله شده باکانال نوعpکه گازحفره ای دوبعدی درآن تشکیل میشود.لبه نوارظرفیت نیزنمایش داده شده است…………………………………………………………………………………………………………………………………….3

شکل(2-1الف)SiGe/Si/SiGeحاوی­گازالکترونی دوبعدی(2DEG)…………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………..7

شکل(2-1ب)ساختارهای دورآلاییدهSi/SiGe/Siحاویگ ازحفره ای دوبعدی(2DHG)…………………………………………………….7

شکل(2-1ج) ساختاردریچه دارSi/SiGe/Siحاویگ ازحفره¬ای دوبعدی…………………………………………………………………………7

شکل2-2 : اثرات کرنش برشبکهبلوری〖Si〗_(1-x) 〖Ge〗_xکه برروی زیرلایهسیلیکان رشددادهشده است………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………..8

شکل 2-3: گاف انرژی درساختارچندلایه ای آلاییده مدوله شده………………………………………………………………………………………..9

شکل 2-4: انرژی بستگی ازالکترون¬های ترازسیلیسیوم بابارالکتریکی مثبتeکه بافاصله¬یdازصفحه¬یsi-sio_2قرارداردانرژی برحسب واحدریدبرگ(Ry) ̅^*~43mevوفاصله برواحدشعاع بوهر(a^* ) ̅~2.2nmرسم شده است……………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………..14

شکل 2- 5 : مقادیرE0وz0رادرحضوروعدم حضورجملات تصویری رانشان می¬دهد……………………………………………………..18

شکل4-1 : تغییرات انرژی الکترون برحسب پهنای گازالکترونی دوبعدی………………………………………………………………………….13

شکل 4 – 2: تغییرات انرژی الکترون برحسب پهنای لایه درحضورمیدان مغناطیسی………………………………………………………14

شکل4 – 3: تغییرات پتانسیل شیمیایی گازالکترونی دوبعدی برحسب پهنای لایه دردماهای مختلف…………………………….16

شکل4 – 4: تغییرات پتانسیل شیمیایی گازالکترونی دوبعدی برحسب پهنای لایه ودردماهای مختلف…………………………..18

شکل 4 – 5 : تغییرات پتانسیل شیمیایی گازالکترونی دوبعدی برحسب پهنای لایه درحضورمیدان مغناطیسی بازائ دماهای مختلف…………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………….19

شکل4 – 6 : تغییرات پتانسیل شیمیایی گازالکترونی دوبعدی برحسب پهنای لایه ودردماهای مختلف درحضورمیدان مغناطیسی……………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………20

شکل4 – 7: تغییرات مغناطش گازالکترونی دوبعدی برحسب پهنای لایه دردما¬های مختلف………………………………………..23

شکل4 – 8 : تغییرا تمغناطش گازالکترونی دوبعدی برحسب پهنای لایه دردما¬های مختلف درحضورمیدان مغناطیسی……………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………24

شکل 4- 9: تغییرات پذیرفتاری مغناطیسی گازالکترونی دوبعدی درمیدانهای مغناطیسی متفاوت…………………………………25

 

 

 

 

برای دانلود متن کامل پایان نامه اینجا کلیک کنید.

دیدگاهتان را بنویسید

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *